超日凈化針對Epi(磊晶)、Poly(多晶)、PECVD、MOCVD或CVD 化學氣相沉積工藝尾氣的處理，同時擴大在半導體及醫藥領域的尾氣處理應用，研發出 了新一代CRBR型凈化器，該類尾氣凈化處理裝置主要能夠處理的介質包括：硅烷SiH₄、磷烷PH₃、鍺烷GeH₄、二氧化硅SiO₂、硼烷B2H₆、三氟化硼BF₃、一氧化二氮(笑氣)N₂O、八氟環丁烷C₄F₈、四氟化碳CF₄、四氯化鍺GeCl₄、四氯化硅SiCl₄、三氯氫硅SiHCl₃、氯氣Cl₂、三氯化硼BCl₃、四氯化碳CCl₄、氯化碳CCl₂、氟氣F₂、氫氣H_2、其它酸堿性尾氣、粉塵等。

廢氣設計處理量：每個公司生產的工藝有細微的差別，提供的尾氣參數也不盡相同，但根據我公司多年治理經驗，會經嚴格計算及放一定安全余量，保證安全最低尾氣處理量，滿足正常生產要求及排放的標準。

產生廢水量：如果有含磷廢水建議定期外運，從我們的經驗來看，廢水量一般不會超過2-3m³/月；如果沒有含磷廢水，可以直接進行酸洗中和洗滌吸收處理。 

硅酸鈣等堵塞問題：我公司提供的產品對于二氧化硅、硅酸鈣及其它一些粉塵的堵塞均能做到完好解決。首先在進口氣處有可以不停機清理裝置；其二在預處理凈化室先期可凈化大部分，從而保證系統不堵塞的問題；其三采用霧化噴淋段與凈化功能段獨立進水、噴淋、排液，無堵塞問題出現。

按上述尾氣特性，我公司制定簡要工藝流程如下： 

廢氣進口→燃燒段及預洗滌功能段→多級霧化洗滌功能段→填料凈化功能段→凈化后的尾氣出口 

尾氣在引風機作用下，通過風管路進入到尾氣凈化裝置中的燃燒段及預洗滌腔體中，自燃的尾氣經預旋轉水洗滌方向后沿管壁流動，進入多級霧化噴淋洗滌功能段， 配用大流量循環泵逆流式洗滌輸送，再配合螺旋式高流量、不阻塞噴嘴，使塔內噴淋密度達到11~12.9m³/（m²·h），遠大于正常的10m³/（m²·h），使氣液二相混合呈現更加效率狀態。

經過多級霧化噴淋裝置進行處理后的尾氣，在風機作用下壓入填料層噴淋凈化段功能室，將尾氣平均分布在多面空心球周圍，每只呈現點接觸，排列“Z或W”不規則路線行走，無偏流現象，再次使尾氣得到氣液二相充分接觸，最后尾氣達到國家標準 GB16297-1996《大氣污染物綜合排放標準》二級排放要求，經風機抽出，并通過排風管排入大氣。

某種尾氣處理概況說明：若同時存在硅烷SiH₄、鍺烷GeH₄、磷烷PH₃、氧氣O_2、氫氣H₂、氬氣Ar、氮氣N₂、三氟化硼BF₃ 以及微量粉塵。由于硅烷SiH₄、鍺烷GeH₄ 與空氣接觸會引起燃燒并放出很濃的白色的無定型煙霧，它對健康的危害主要是對呼吸道的損傷及自燃后火焰引起的熱灼傷，嚴重甚至會致命；而氫氣著火點為500℃，在混合空氣4-75%中容易點燃并爆炸，從安全與環保角度，無論如何都必須被有效的處理，并要完全達到國家和地方的排放相應標準后才能排入大氣中。